在近日東京的「nano tech 2009國際納米技術(shù)綜合展」上，關(guān)于新一代照明用LED的解決方案，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達到了36％。發(fā)光波長為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。

    該公司對設(shè)置在藍寶石底板及GaN結(jié)晶之間、吸收不同晶格常數(shù)（lattice constant）的AlN緩沖層進行了改進。采用了在藍寶石底板上制作AlN薄層后，利用1300℃以上的高溫工藝制成μm單位AlN單結(jié)晶的「兩段成長法」。這樣，就能抑制在AlN層上成長的GaN結(jié)晶缺陷。另外還采用自主開發(fā)的技術(shù)解決了由于AlN較厚，與藍寶石底板的熱膨脹係數(shù)不同而引發(fā)的底板易破碎問題。據(jù)瞭解，此次的近紫外LED可通過組合使用紅（R）、綠（G）、藍（B）螢光體，實現(xiàn)與螢光燈幾乎相同的2800K色溫、以及平均演色指數(shù)（Ra）90以上的照明效果。