MOCVD設(shè)備是制作LED外延片的關(guān)鍵設(shè)備，而LED外延片的水平?jīng)Q定了整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)的水平。我國(guó)于2003年正式實(shí)施“國(guó)家半導(dǎo)體照明工程”,并在“十五”、“十一五”重點(diǎn)攻關(guān)課題和“863”計(jì)劃中，將MOCVD設(shè)備國(guó)產(chǎn)化列入重點(diǎn)支持方向。

    在國(guó)家政策的支持下，“十五”期間，我國(guó)在MOCVD設(shè)備國(guó)產(chǎn)化方面已取得了初步成效。中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所通過(guò)消化吸收和關(guān)鍵技術(shù)再創(chuàng)新等措施，研發(fā)成功了GaN生產(chǎn)型MOCVD設(shè)備（6×2″），填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，使長(zhǎng)期制約我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的裝備瓶頸得以突破。同時(shí)，中科院半導(dǎo)體所、南昌大學(xué)、青島杰生電器等單位也成功研發(fā)了研究型的MOCVD設(shè)備。

    國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備還有很多路要走

    國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備還存在以下問(wèn)題：

    （1）國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備仍處于技術(shù)跟蹤階段，設(shè)備產(chǎn)業(yè)化水平與生產(chǎn)需要不相適應(yīng)。目前，國(guó)內(nèi)研制的MOCVD設(shè)備最大產(chǎn)能為6片（48所的GaN-MOCVD）。然而，截至到2007年12月，在國(guó)外推出的最新型MOCVD設(shè)備中，AIXTRON已推出行星式反應(yīng)器的42片機(jī)（AIX2800G4 HT）和CCS反應(yīng)器的30片機(jī)（CRIUS）。由于產(chǎn)能的差距，小批量的MOCVD設(shè)備外延片生產(chǎn)成本較高，大大降低了設(shè)備的性價(jià)比，使得國(guó)產(chǎn)設(shè)備剛研發(fā)出來(lái)就已經(jīng)落后了。量產(chǎn)企業(yè)對(duì)單批產(chǎn)能的最低要求是在30片以上。

    （2）設(shè)備造價(jià)高，應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)大，多數(shù)廠商更愿意采購(gòu)技術(shù)成熟的進(jìn)口設(shè)備 MOCVD設(shè)備的造價(jià)昂貴，生產(chǎn)型MOCVD設(shè)備的售價(jià)高達(dá)1000~2000萬(wàn)元。廠商對(duì)此類設(shè)備的采購(gòu)均十分謹(jǐn)慎，更愿意采購(gòu)技術(shù)成熟、售后服務(wù)完善的進(jìn)口設(shè)備，使得國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備的推廣處于尷尬的境地。

    （3）自主創(chuàng)新有待加強(qiáng)，國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備面臨專利壁壘 目前，國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備的研發(fā)還處于“消化、吸收”階段，而國(guó)外主流商用機(jī)型已建立嚴(yán)密的專利保護(hù)，如AIXTRON的Planetary Reactor反應(yīng)器、THOMAS SAWN的CCS（Close Coupled Showerhead Reactor）反應(yīng)器、VEECO的Turbo Disk反應(yīng)器和日本SANSO公司雙/多束氣流（TF）反應(yīng)器均是自己獨(dú)有的專利技術(shù)，國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化面臨專利壁壘的考驗(yàn)。