日前召開(kāi)的ARM技術(shù)大會(huì)上，三星電子傳出消息，計(jì)劃大力推動(dòng)高-K介質(zhì)的32nm制程。

    今年6月，韓國(guó)三星表示自己的代工廠已經(jīng)可以使用高-K/金屬柵極技術(shù)，滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/金屬柵極技術(shù)的代工廠。

    據(jù)三星半導(dǎo)體公司代工業(yè)務(wù)部設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)總裁Kuang-KuoLin透露，現(xiàn)在“制程和設(shè)計(jì)”都已就緒。

    他在ARM技術(shù)大會(huì)上表示“就代工廠的高-k/金屬柵極而言，我們走在前列�！�

    三星也是IBM公司晶圓俱樂(lè)部的成員。據(jù)報(bào)道，該俱樂(lè)部在高-k技術(shù)研發(fā)方面正面臨困難。在簡(jiǎn)短采訪中，Lin否認(rèn)了這一報(bào)道，他說(shuō)三星目前在高-k方面的努力“進(jìn)展不錯(cuò)”。

    Lin說(shuō)，實(shí)際上三星對(duì)該工藝制程“興趣很大”，代工客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通和賽靈思。

    路線圖的下一步是28nm制程。目前，GlobalFoundries和三星都將在2011年第一季度進(jìn)入“可量產(chǎn)”階段。