近日，國星光電作為A級單位參編的《2022碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》與《2022氮化鎵功率與射頻產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》發(fā)布。

    憑借在第三代半導體領(lǐng)域積累的實戰(zhàn)經(jīng)驗及扎實的創(chuàng)新研發(fā)能力，國星光電在兩本白皮書中詳細展示了最新的產(chǎn)品布局及創(chuàng)新技術(shù)的應用場景，并積極聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下同向發(fā)力，共同推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。

    白皮書重點圍繞發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)能、產(chǎn)品特點、技術(shù)動向及發(fā)展趨勢等熱點話題進行全面詳細梳理和深入剖析，旨在為企業(yè)布局、產(chǎn)業(yè)投資和政策落地提供全面、權(quán)威的重要信息窗口。

    國星布局

    2019年，國星光電研究院啟動了組建功率器件實驗室及功率器件產(chǎn)線的工作，朝著高可靠性及高品質(zhì)的“三代半功率器件封測企業(yè)”的方向奮力前行。經(jīng)過創(chuàng)新技術(shù)的迭代更新，國星光電SiC（碳化硅）及GaN（氮化鎵）產(chǎn)品線不斷擴展，以智能化、模塊化、定制化、高端化的方向，逐步形成品類豐富、品質(zhì)上乘的產(chǎn)品布局，并與多家知名廠商建立良好的合作關(guān)系。

    ▲覆蓋多個應用領(lǐng)域的產(chǎn)品類型

    國星產(chǎn)品

    SiC分立器件產(chǎn)品

    國星光電SiC功率分立器件已形成SiC-SBD及SiC-MOSFET兩條拳頭產(chǎn)品線，擁有TO-247封裝、TO-220封裝、TO-263封裝、TO-252封裝、DFN5*6五種封裝結(jié)構(gòu)。應用方面，SiC-SBD重點推廣到黑白家電等領(lǐng)域，而SiC-MOSFET可用于光伏逆變、儲能、充電樁、大型驅(qū)動、UPS不間斷電源等工業(yè)級領(lǐng)域，并向車規(guī)領(lǐng)域靠攏。

    其中，國星光電以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產(chǎn)品，在開關(guān)損耗、開通損耗、開關(guān)頻率等方面優(yōu)勢明顯，可為新能源領(lǐng)域市場提供更優(yōu)的技術(shù)解決方案。

    SiC模塊產(chǎn)品

    基于數(shù)字化驗證技術(shù)，國星光電推出了多款高可靠性SiC功率模塊，并規(guī)劃出NS34m、NS62m、NSEAS、NSECO系列共四類可量產(chǎn)的標準封裝類型產(chǎn)品，可應用于太陽能發(fā)電、新能源汽車、新能源動車、電網(wǎng)傳輸、風力發(fā)電等領(lǐng)域。

    其中，國星光電NS62m功率模塊新品依托SiC MOSFET芯片的優(yōu)異性能，在降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率等方面表現(xiàn)出色，系列產(chǎn)品型號豐富，可響應不同封裝及規(guī)格的SiC功率模塊定制開發(fā)需求。

    GaN器件產(chǎn)品

    瞄準照明及大功率驅(qū)動市場，國星光電已建成DFN5*6和DFN8*8兩大類的GaN器件產(chǎn)品線，推出650V/10A、650V/12A、650V/15A、650V/17A的E-mode系列產(chǎn)品與650V/12A、650V/13A、650V/23A的 Cascode系列產(chǎn)品，可根據(jù)客戶需求提供定制化技術(shù)解決方案。

    值得一提的是，結(jié)合LED原有的下游應用優(yōu)勢，國星光電成功開發(fā)出多款SIP(system in pakage)封裝的電源管理IC，進一步豐富了GaN-IC的產(chǎn)品線，可在LED驅(qū)動電源、LED顯示器驅(qū)動電源、墻體插座快充、移動排插快充等領(lǐng)域得以應用。

    第三代半導體是國星光電延伸布局的重要方向。一方面，公司始終堅持自主創(chuàng)新，持續(xù)強化技術(shù)和產(chǎn)品優(yōu)勢；另一方面，公司充分發(fā)揮國星半導體和風華芯電的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，強化協(xié)同效應，擴寬縱深布局，全力支撐公司打造半導體封測產(chǎn)業(yè)的鏈主地位，為我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻力量。