在追求卓越顯示效果的今天，一位超芯星正在嶄露頭角，它就是Micro-LED“一項具有改變游戲規(guī)則潛力的顯示技術”。不僅為追求極致視覺體驗的消費者帶來了新的希望，更為行業(yè)開辟了一鏈創(chuàng)新與高效能結合的道路。

    什么是Micro-LED？

    Micro-LED，又稱為 mLED 或μLED，一種通過薄膜化、微小化和陣列化處理的LED結構，其尺寸大約在1-100μm之間，由微米級半導體發(fā)光單元陣列組成，是一種將電能轉化為光能的電致發(fā)光器件，可以通過巨量轉移批量地轉移到驅動電路基板上，驅動電路基板可以為硬性或柔性襯底。然后利用物理氣相沉積等方法在其上制備保護層和外接電極，最后進行封裝。其中LED是由II-VI和III-V族化合物，如GaAs( 砷化鎵 )、GaP ( 磷化鎵 )、GaAsP( 磷砷化鎵 )、GaN( 氮化鎵 ) 等半導體制成的，其核心結構是由p型半導體和n型半導體材料形成的pn結組成的。

Micro-LED的獨特優(yōu)勢是？

    Micro-LED技術的核心優(yōu)勢在于其卓越的性能表現(xiàn)，包括：

    01

    更高的亮度與對比度：Micro-LED自發(fā)光的特性，意味著您可以享受到更純粹的黑色和炫麗的亮度，讓色彩更加生動。

    02

    更低的能耗：在為您帶來明亮畫質的同時，Micro-LED的能效卓越，這對于延長移動設備電池壽命至關重要。

    03

    超快響應：想象一下，在觀看高速運動場景時無任何拖影的清晰度，這正是Micro-LED快速響應能力所能提供的。

    Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈的技術瓶頸是？

    Micro LED 的工藝流程涵蓋了襯底制備、外延片與晶圓制備、像素組裝、缺陷監(jiān)測、全彩化、光提取與成型、像素驅動等 7 個環(huán)節(jié)。具體來講，其產(chǎn)業(yè)鏈包含芯片制造、巨量轉移、面板制造、封裝/模組、應用以及相關配套產(chǎn)業(yè)。其中，有關檢測修復的難題，無疑是各大參與者競技的重要賽場之一。

    由于 Micro LED 的芯片尺寸和間距極其微小，傳統(tǒng)的測試設備難以適用。如何在數(shù)以百萬甚至千萬計的芯片中，對存在缺陷的晶粒進行檢測、修復或者替換，這是一個極為艱巨的挑戰(zhàn)。當下現(xiàn)有的解決方案包含光致發(fā)光測試和電致發(fā)光測試。光致發(fā)光測試主要借助光源來激發(fā)硅片或太陽電池片，通過對特定波長的發(fā)光信號進行采集以及數(shù)據(jù)處理，從而辨別芯片的缺陷。電致發(fā)光測試則是指，在強大電場的作用下，芯片中的電子成為過熱電子后，依據(jù)其回到基態(tài)時所發(fā)出的光來檢測芯片的缺陷。

兆馳半導體如何解決Micro-LED檢測難題？

    7 月 16 日，兆馳半導體公布“Micro-LED 檢測設備”專利已進入授權階段。該專利的詳情如下：

    本實用新型公開了一種 Micro-LED 檢測設備，其由下至上依次設置有紫外面光源、透明基板、光罩板、濾光片、CCD 檢測探頭。在透明基板上放置有待測的 Micro-LED 芯片，而光罩板上設有與待測 Micro-LED 芯片所處位置相匹配的透光孔。

    本實用新型所提供的 Micro-LED 檢測設備能夠迅速篩查出異常芯片，并予以剔除。

    兆馳半導體專注于新型顯示領域的產(chǎn)業(yè)共性技術和前瞻性技術的開發(fā)與轉移，力爭實現(xiàn)“市場導向、技術突破、產(chǎn)線融合”的全鏈條協(xié)同創(chuàng)新。

    這一專利表明，兆馳半導體將 Micro-LED 顯示技術作為主攻方向已有很長時間。根據(jù)過往的專利布局顯示，其已經(jīng)構建形成了涵蓋材料外延、芯片制造、轉移集成、可靠性評估等完備的 Micro-LED 智造創(chuàng)新鏈。結合自身在數(shù)字智能等新型制造方面的優(yōu)勢，能夠大幅度縮減研發(fā)周期、節(jié)省開發(fā)成本、提升良率和效率。

    下一步，兆馳半導體將在目前系列技術突破的基礎上，通過關鍵核心技術突破，繼續(xù)深耕并快速推動Micro-LED產(chǎn)業(yè)轉化，實現(xiàn)高水平技術領先，為Micro-LED顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到重要引領與示范作用，助力我國在未來顯示領域保持持續(xù)領先！