在法國里昂舉辦的“Transducers’07”上，歐姆龍公布了計劃投產的硅麥克風。在不斷有新廠商涉足該領域、成本競爭日趨激烈的情況下，該公司同時實現了傳感器的小型化和高性能。

　　麥克風的傳感器部位的面積為1.2mm×1.3mm。此時的靈敏度方面，頻率為1kHz時靈敏度為-41dBV。在100Hz～10kHz的頻率下，能夠實現平穩(wěn)的響應性。在薄膜構成的電容器上帶有靜電，偏壓為12V。

　　實現小型化的關鍵是蝕刻技術。一般來說，硅麥克風上傳感器部位的硅薄膜背面需要一塊讓聲音發(fā)生共鳴的空間，這就需要通過蝕刻來實現。這一方法原來主要分為2種。即濕蝕刻和干蝕刻。濕蝕刻方面，根據接觸蝕刻液的時間來剝離硅。斷面形狀為硅薄膜一側邊長較短的梯形（請參考圖片）。而干蝕刻方面，通過延垂直方向向硅底板照射等離子進行幾乎垂直的剝離。在相同的芯片面積下，干蝕刻能夠擴大硅薄膜背面的空間。

　　與此相對，此次將濕蝕刻法分2個階段進行，與原有的干蝕刻法相比能夠進一步擴大空間（請參考圖片）。斷面形狀變成了菱形。首先通過濕蝕刻法剝離成梯形。其次，對制成硅薄膜時形成的犧牲層多晶硅進行蝕刻。最后，在露出的硅面上通過各向同性蝕刻法進行剝離。