最近一年以來，LED直顯行業(yè)最炙手可熱的名詞是什么？不是COB、IMD，也不是mini LED或者micro LED；而是MiP。MiP（Micro LED in Package），作為適配新型micro LED晶體顆粒的LED直顯新“封裝工藝”，已經被很多行業(yè)人士認為將是未來P0.2-p3.0，LED直顯產品、尤其是室內高性能直顯產品的標準答案。

    MiP大踏步加速走來

    2022年7月，國星光電宣布，推出新型MIP（Micro LED in Package）封裝器件方案，MIP顯示模組具有超99%的高黑占比，采用特殊光學設計，水平視角≥174°，可兼容當前設備機臺。2022年，沃格光電兩款MIP玻璃基封裝載板亮相，分別是0404和0202。其中，0404主要對應的是2*4mil的RGB芯片，封裝體大小400*400um；0202主要對應的是1*2mil的RGB芯片，封裝體大小250*250um。2022年底，三安光電展示了0404尺寸MiP封裝器件：該產品采用的Micro LED芯片尺寸為34*58um，封裝尺寸為400*400um，厚度為150um，器件底部四個焊點尺寸為120um*120um……

    除了上游市場外，在終端市場上，目前包括索尼、利亞德、創(chuàng)顯光電等眾多企業(yè)也推出了大量“量產”MiP封裝LED直顯產品，并作為各自的旗艦產品和高端產品來部署。

    可以說，MiP封裝在2021年開始嶄露頭角，在2022年形成了上游普及之形勢；行業(yè)預計2023年將是MiP下游產品的爆發(fā)元年。更多的終端品牌必然在2023年布局MiP封裝產品，特別是沒有“巨量轉移”技術的終端企業(yè)，可通過MiP快速切入micro LED直顯的競爭賽道，為自己打造嶄新的高品質旗艦終端。后者將是MiP最大的市場吸引力。

    MiP封裝的必要性優(yōu)勢

    LED直顯技術進入micro LED時代是大勢所趨。原因有兩個：第一，微間距的LED直顯產品需要更小的LED晶體顆粒，micro LED是必然的基礎要求；第二，隨著LED技術進步，發(fā)光效能的提升，使用更小的LED晶體顆粒同樣能滿足像素亮度要求，這對于LED直顯而言是一個低成本高效率的選擇。

    目前，micro LED上游市場已經云集了數百億的投資。這些投入將在2025年前后迎來投產期。而在此之間，確定micro LED在直顯應用中的“中游”技術路線，即封裝結構就成了一件具有緊迫性的任務。

    而對比傳統(tǒng)封裝結構，例如COB、SMD和IMD而言，MiP在micro LED時代具有兩大“必要性”。其一是，MiP是目前“最”能適應更小線寬的封裝結構。SMD只能封裝大于145um的芯片，IMD和COB則可封裝尺寸大于125um的芯片，MiP可封裝的LED芯片尺寸最小，可在60um以下。也就是MiP能做micro LED封裝，而COB、SMD和IMD則幾乎不能，或者可靠性和經濟性不允許。

    其二是，MiP是目前在micro LED封裝中，對直顯產品突破“巨量轉移”瓶頸更為友好的技術路線。巨量轉移是micro LED顯示的“核心工藝瓶頸”。其中，最大的難點并不在于“巨量”，而是“巨量”的可靠性：即目前大多數巨量轉移在4個9的良率上，少數領先企業(yè)達到6個9的良率。

    而對于可用的顯示終端而言，6個9的良率是基本門檻。即2K顯示屏不超過4-6個壞點。但是，采用MiP封裝，因為其在巨量轉移之后要做“分立器件”切割和最終封測，巨量轉移的良率就變成了“效率和成本”問題，而不是“集成封裝”下的“可不可接受的缺陷”問題。

    可以說，從封裝工序看，MiP封裝即有巨量轉移“大批量”處理的效率，前端工藝工序高度規(guī)�；�、集成化；且通過后端切割成分立器件，又不需要滿足直接集成化封裝所要求的極高的良率，獲得了終端屏體檢測、修復上的優(yōu)勢。

    即，通過MiP封裝技術，行業(yè)既可以解決micro LED面臨的極限線寬問題，又可以折中性解決巨量轉移工藝難度和良率、測試、修復等問題。解決了這兩個問題，基本也就解決了micro LED在中游封裝環(huán)節(jié)的“量產應用”的核心瓶頸。

    MiP分立器件對下游終端“更友好”

    目前，主流的微間距、小間距LED直顯封裝技術，是COB、SMD和IMD。其中，表貼工藝的SMD封裝結構，對于mini LED和micro LED都不能很好的適應。因此，可以說只有COB和IMD是真正引領LED直顯持續(xù)技術發(fā)展與升級的主流封裝結構。

    但是，新興的MiP與COB、IMD有顯著的不同。即COB、IMD都是集成器件、MiP則是以分立器件為主要方向。作為分立器件，有很多的“終端”優(yōu)勢：

    第一，   分立器件在測試、調試、一致性選擇、修復方面都具有顯著優(yōu)勢。特別是MiP分立器件，對比傳統(tǒng)集成封裝、尤其是大規(guī)模集成封裝下的巨量轉移技術，其不要求在micro LED晶圓層做“LED顆粒測試”，而是將測試階段后延到封裝環(huán)節(jié)。這對于降低micro LED上游制造的一致性和可靠性門檻，進而實現更好的成本友好度，具有很大幫助。

    且在終端層面，MiP分立器件是“點可修復”的。不類似于COB的集成CELL的難以修復性。——壞點所造成的部件報廢損失相差巨大。這有利于最終產品集成層面的可靠性和品質成本控制。

    第二，   MiP分立器件是高度兼容傳統(tǒng)分立器件終端產線的技術。即MiP分立器件的終端生產線，基本與SMD和IMD封裝結構相同。終端階段有工藝相通性高，沿用設備程度高，降低研發(fā)、設備投入的優(yōu)勢，將讓MiP更容易普及、更容易被市場下游企業(yè)接受，尤其是被中小行業(yè)從業(yè)者廣泛接受，能夠快速形成市場規(guī)模優(yōu)勢。

    第三，   MiP分立器件兼具有COB集成封裝的高可靠性、SMD器件的高一致性，在顯示性能上具有卓越優(yōu)勢。事實上，行業(yè)普遍認為，MiP技術是對COB、巨量轉移、MID、SMD等技術的“優(yōu)勢”的集大成，并對各自劣勢的均衡與“彌補”后的“較為理想”的選擇。

    第四，   MiP封裝產品還具有“通用性”優(yōu)勢。理論上，一種封裝規(guī)格的MiP，可以兼容大于該封裝規(guī)格的多數點間距的LED屏終端產品制造。這不同于COB、IMD的集成封裝，封裝結構和中游產品，直接決定了下游產品的“點間距”。即，MiP具有更寬闊的終端產品設計上的靈活性。這一點也會導致MiP更受下游廠商歡迎，并降低中游產品規(guī)格布局的密度。

    整體上，MiP的優(yōu)勢體現在上中下游各個階段，其具有對micro LED直顯產品全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)的“更高友好度”。這也是這一技術方案很快成為行業(yè)共同投資的“方向”的原因所在。而且，從市場競爭角度看，MiP還具有更好的“市場成本”友好性。

    成本必然是新技術“普及”的瓶頸

    目前，LED直顯行業(yè)的市場價格和成本分布，對于新一代超微間距產品并不友好。比如，P0.7產品市場價格通常在每平米12萬元左右，P0.9產品則僅5-6萬元，P1.2產品價格下降到2萬余元每平米……P1.5及其以上間距產品，每平米價格都已經向萬元內延伸。

    從小間距需求市場看，P1.2和P1.5是現在熱門品類；P0.9也開始加速普及。但是，P0.7以及以下間距的產品，市場化局面不容樂觀。更高的成為與超微間距往往對應于更小的應用畫面尺寸，讓市場消費者與客戶形成了“獲得感價值落差”。從長期看，LED直顯行業(yè)的市場擴大，特別是超微間距的市場發(fā)展必須以“成本下降”為前提。

    在這方面，MiP具有更為系統(tǒng)化的優(yōu)勢：第一，MiP可以用于目前主流的P1.2和P1.5小間距產品，甚至向上覆蓋P3.0間距指標內的產品。這種更寬范圍的覆蓋，并不需要集成封裝技術那樣，每一個間距指標推出一個“封裝規(guī)格”。而通過在成熟間距線上的規(guī)模應用，MiP能夠快速的降低成本。這一優(yōu)勢，是COB和IMD技術所不能比擬的。

    第二，MiP在超微間距市場的應用中，其在晶圓檢測、封裝的巨量轉移、終端的設備和工藝通用，檢測與修復等方面都具有“工藝更友好、難度更低、良率需求更低”的優(yōu)勢。結合，點像素晶圓成本上，micro LED技術比mini LED和常規(guī)LED顆粒具有的制造效率優(yōu)勢，行業(yè)認為，MiP在LED直顯，特別市場超微間距產品和透明顯示產品端很可能表現出“逐產業(yè)鏈環(huán)節(jié)累計的成本優(yōu)勢”。

    第三，在終端廠商的“產線”改造MiP也具有優(yōu)勢。終端屏體核心環(huán)節(jié)貼裝工藝中，SMD和IMD采用SMT工藝，COB采用Pick＆Place工藝——MiP對SMT工藝和Pick＆Place工藝兩者皆可兼容。即，無論終端企業(yè)此前產線布局是面向COB還是SMD、IMD封裝，現在都可以低成本的銜接MiP封裝器件。這為行業(yè)下游節(jié)約了大量重復投資，并有利于中小企業(yè)集中一種工藝，實現全產品線布局。

    當然，即便從成本優(yōu)勢看，MiP競爭力明確。但是，MiP作為新技術必然也會在短期內遭遇“配套設備、材料”方面的一些難題，并在市場成熟度和接受度上需要積累。但是，相對于COB技術的崛起路徑，MiP在2021-2022年的發(fā)展速度已經表現出“更多的友好性”、“更快的進步趨勢”，以及率先解決成本問題的可能性，也獲得了更迅猛增加的行業(yè)支持力量。

    MiP通吃特性明確，但是并非唯一“選擇”

    MIP降低了Micro LED技術門檻，就目前行業(yè)技術而言其最具量產可行性。同時，MIP不僅可以以分立器件的方式出現，也可以以N in 1的集成器件的方式出現。其分立器件可以覆蓋的間距指標也非常寬闊，這讓這一技術的擁躉們往往用“通吃”來形容它的特性。

    但是，MIP也有一定局限性。例如，其不能兼容P0.2以下間距指標產品；其直顯終端依然會隨著間距指標的縮小而呈現整屏成本的快速增加；MIP一些相對優(yōu)勢，是相較于micro LED晶圓、巨量轉移等工藝環(huán)節(jié)成熟度有限條件下而言的；在大間距產品領域MIP的優(yōu)勢不明確，且micro LED的亮度不一定滿足大間距指標屏的需求；已經占據市場份額的一些技術，例如COB、SMD等已經形成成熟應用鏈條，不會輕易“讓出市場”……

    同時，自身已經涉足巨量轉移等中上游工藝研發(fā)的終端企業(yè)，很可能未來會將非MIP的集成封裝micro LED產品，作為區(qū)別于“未涉足巨量轉移等工藝環(huán)節(jié)、僅采用MIP等中游成品供應鏈企業(yè)產品”的“差異點”。

    綜上所述，2022年以來MIP技術表現出爆發(fā)趨勢，在micro LED直顯市場已經確立了巨大的優(yōu)勢。但是，MIP能夠帶領行業(yè)走多遠依然需要時間檢驗。不過，隨著micro LED上下游大量的資源和資金投入，這個時間節(jié)點已經不遠了。行業(yè)預計，2025年之前micro LED大屏直顯市場就能確立基本路線圖。這是LED直顯上下游行業(yè)除了關注具體技術的優(yōu)缺點之外，也需要確立的另一個重要行業(yè)節(jié)點意識。