5月份Mojo Vision成功點(diǎn)亮首款12英寸藍(lán)色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓，IOE發(fā)布了用于Micro LED顯示器的8英寸紅、綠、藍(lán)色外延晶圓組合……隨著Micro LED顯示技術(shù)不斷發(fā)展，相關(guān)晶圓廠商正在研發(fā)更大尺寸的Micro LED晶圓，向大尺寸晶圓升級(jí)已是Micro LED產(chǎn)業(yè)化的確定發(fā)展趨勢(shì)，而外延工藝作為晶圓制備的環(huán)節(jié)之一，在Micro LED的發(fā)展過(guò)程中扮演著怎樣的重要角色呢？

    01 Micro LED外延片三大挑戰(zhàn) 

    如今，Micro LED具有各式各樣的轉(zhuǎn)移方式，轉(zhuǎn)移過(guò)程對(duì)Micro LED芯片良率有著嚴(yán)苛的要求，若上游的外延工藝環(huán)節(jié)不能保持一個(gè)較高的良率，將會(huì)對(duì)Micro LED的后續(xù)制造帶來(lái)較大生產(chǎn)成本影響，阻礙Micro LED量產(chǎn)進(jìn)程，因此外延技術(shù)的改良與發(fā)展對(duì)Micro LED的后續(xù)制造量產(chǎn)具有重要作用。 

    在襯底上面要生長(zhǎng)LED發(fā)光層的材料，與現(xiàn)有LED外延技術(shù)相比，Micro LED外延又有非常不一樣的要求。實(shí)際上，外延技術(shù)有三個(gè)方面對(duì)于提高M(jìn)icro LED生產(chǎn)良率來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，包括波長(zhǎng)均勻性管理、缺陷密度和成本控制。

    第一，若要保證外延片的良率，需要密切關(guān)注的就是缺陷密度，Micro LED外延片對(duì)缺陷密度較為嚴(yán)格，當(dāng)缺陷控制在0.1/cm2以下時(shí)，外延生產(chǎn)良率才能夠得到保證，生產(chǎn)成本隨之也能得到控制。

    第二是波長(zhǎng)均勻性管理，要實(shí)現(xiàn)更好的均勻性，需更緊密的波長(zhǎng)分布，目前行業(yè)大部分LED芯片廠商的分選波長(zhǎng)范圍在3~4nm，而對(duì)于Micro LED而言，分選波長(zhǎng)范圍應(yīng)在2~4nm之間。

    為了保障外延片品質(zhì)，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵，這也是眾多晶圓廠商不斷研發(fā)更大尺寸Micro LED晶圓的原因之一。

    02 晶能首發(fā)硅襯底 InGaN基三基色外延

    近日晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果，展現(xiàn)了其利用硅襯底GaN基LED技術(shù)不斷的創(chuàng)新迭代能力，已經(jīng)初步攻克關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)，為后續(xù)技術(shù)和工藝的優(yōu)化和完善鋪平了道路。 

    12英寸硅襯底藍(lán)光InGaN基LED外延片快檢EL點(diǎn)亮效果 

    12英寸硅襯底綠光InGaN基LED外延片快檢EL點(diǎn)亮效果

    12英寸硅襯底紅光InGaN基LED外延片快檢EL點(diǎn)亮效果

    晶能光電創(chuàng)立于2006年，是具有底層芯片核心技術(shù)的全產(chǎn)業(yè)鏈IDM半導(dǎo)體光電產(chǎn)品提供商。基于近20年的硅襯底GaN基LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化積累，為全球客戶提供高品質(zhì)的LED（外延、芯片、封裝和模組）光源和感知傳感器件產(chǎn)品和解決方案。

    7月17-19日，晶能光電亮相UDE2023第四屆國(guó)際半導(dǎo)體顯示博覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，帶來(lái)了12寸/8寸/6寸/4寸氮化鎵外延片，在光效、一致性、可靠性等關(guān)鍵指標(biāo)上進(jìn)行了全方位優(yōu)化，并成功開(kāi)發(fā)了4微米pitch的RGB Micro LED微顯陣列，可滿足AR眼鏡、HUD、ADB車(chē)燈、透明顯示等廣闊顯示領(lǐng)域應(yīng)用。