近日，BOE京東方、海目星、錼創(chuàng)科技、高科視像、高科華燁、芯聚半導體、精測電子、芯映光電等8企公布Micro LED專利，涉及Micro LED巨量轉移、MiP、Micro LED檢測設備等方面。

    京東方：用于Micro LED巨量轉移的加工控制系統(tǒng)和方法

    近期，京東方公布“Micro LED巨量轉移”相關專利進入申請公布階段。本發(fā)明公開一種用于Micro LED巨量轉移的加工控制系統(tǒng)和方法。

    其中一實施例的所述控制系統(tǒng)包括：加工控制器用于根據掃描信息生成待加工的Micro LED基板的加工信息，加工信息包括異常LED的異常坐標信息和所述異常坐標信息對應于異常脈沖信息；振鏡控制器用于根據加工信息輸出控制振鏡移動的移動控制信號，以及根據加工信息向脈沖處理模塊輸出第一電脈沖信號；脈沖處理模塊用于對第一電脈沖信號進行處理生成第二電脈沖信號；激光調整輸出模塊用于根據第二電脈沖信號或第一電脈沖信號輸出激光脈沖控制信號，激光脈沖控制信號包括對每個LED進行加工的激光工作點信息以及對應于異常LED的激光延遲脈寬信息。

    海目星：Micro LED的轉移方法

    海目星“Micro LED轉移方法”相關專利進入申請公布階段。本發(fā)明技術方案有利于提高目標微發(fā)光二極管轉移至驅動基板過程中的轉移精準度，提高顯示效果。

    Micro LED的轉移方法包括：提供具有多個微發(fā)光二極管的芯片載板以及臨時基板，臨時基板包括依次設置的襯底、轉移層以及承接層；將芯片載板上的多個微發(fā)光二極管轉移至臨時基板，承接層包括由微發(fā)光二極管覆蓋的第一部分、位于相鄰微發(fā)光二極管之間的第二部分；圖案化承接層，去除承接層的第二部分；對臨時基板上的目標微發(fā)光二極管對應區(qū)域的轉移層進行處理，使得臨時基板釋放目標微發(fā)光二極管；以及將目標微發(fā)光二極管轉移至驅動基板。

    精立電子、精測電子：一種MicroLED點測設備

    近期，精立電子和精測電子公布“一種Micro LED點測設備”相關專利進入申請公布階段。本發(fā)明通過合理設計光分布檢測裝置的結構形式，在同一臺設備上集成光分布檢測裝置和光譜檢測裝置，可以有效提高檢測效率。

    本發(fā)明公開了一種Micro LED點測設備，包括：光譜檢測裝置、供電裝置、光分布測量裝置和載臺；所述載臺用于承載Micro LED芯片，還用于在水平方向上移動和旋轉；所述光譜檢測裝置包括成像式光譜儀和設置在所述成像式光譜儀前端的放大鏡頭，設置在所述Micro LED芯片的正上方，用于進行所述Micro LED芯片的光譜檢測；所述供電模塊包括探針和電源，所述探針用于連接待測Micro LED芯片和電源，所述供電模塊用于給所述Micro LED芯片供電；所述光分布測量裝置，用于沿預設軌跡移動，在不同角度處收集并測量所述Micro LED芯片發(fā)出光的光強度。

    高科華燁：“一種MicroMIP器件制成方法” 相關專利進入審中公布階段

    本發(fā)明公開了一種Micro MIP器件制成方法，該方法包括以下步驟：S1.將含有LED芯片的COW與臨時載板鍵合并進行激光剝離;S2.進行三色芯片的巨量轉移，將三色芯片按照矩陣排列轉移到同一載板上;S3.準備一塊鋼化玻璃，并在其單面進行膠水涂布;S4.在鋼化玻璃表面按照矩陣排列進行金屬走線和金屬焊盤的沉積;S5.通過巨量焊接技術將芯片載板與已制備線路的鋼化玻璃焊接;S6.通過激光剝離技術剝離芯片的載板;S7.對鋼化玻璃上的結構進行封裝;S8.通過隱切方式對Micro MIP器件進行切割。

    通過本發(fā)明的制成技術，可以制備出Micro LED顯示屏所需的Micro MIP器件，解決Micro MIP制成周期長、難以實現量產全自動的問題。本發(fā)明的制成方法簡單高效。

    山西高科視像：“一種新型MicroLED巨量轉移系統(tǒng)及方法” 相關專利進入審中公布階段

    本發(fā)明提供了一種新型Micro LED巨量轉移系統(tǒng)及方法，屬于Micro LED巨量轉移技術領域;解決了普通轉移方法轉移良率降低、檢測修復困難的問題;包括集巨量轉移、巨量檢測和巨量修復于一體的巨量轉移系統(tǒng);巨量轉移是利用轉移頭通過真空將芯片吸起，巨量檢測是利用梯形保護罩兩側的光電檢測裝置測得Micro LED芯片的工作電壓、亮度和發(fā)光波長等參數與預設值做比對，巨量修復是利用巨量轉移頭通過信息端反饋的數據，控制端控制吸嘴的開關，實現目標基板上芯片空缺位置的點對點補位。

    本發(fā)明旨在優(yōu)化Micro LED集成封裝技術，并且通過新型的技術提升了巨量轉移良率，降低修復成本，提高顯示模組的色彩均勻度。

    蘇州芯聚半導體：“Micro-LED芯片及其制備方法” 相關專利進入審中公布階段

    本發(fā)明揭示了一種MicroLED芯片及其制備方法，MicroLED芯片包括沿出光方向依次堆疊設置的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和基板、以及粘結各層的粘結層，粘結層包括多個透光孔，透光孔與發(fā)光層的發(fā)光單元芯片的出光方向對齊。

    該垂直堆疊式的MicroLED芯片通過透光孔的設計減少了光線穿過有機物的面積，避免了因有機物材料的不穩(wěn)定性造成的透光率不確定、以及有機物材料引發(fā)的光顏色變化的問題，從而一方面顯著提高了光傳輸效率和LED芯片的發(fā)光效率，減少了光損耗，另一方面提高了混光效果，保持了整個面板顯示顏色的一致性。所以，該MicroLED在尺寸更小的同時顯著提升了顯示效果，增強了顯示亮度和色彩純度，具有很高的實用價值和市場前景。

    湖北芯映光電有限公司：“一種LED基板及顯示模組 ”相關專利進入授權階段

    本申請涉及一種LED基板及顯示模組，所述LED基板包括：玻璃載板，所述玻璃載板的第一板面設置有導電線路;HDI線路板，所述HDI線路板固設于所述玻璃載板的第二板面，且所述HDI線路板與所述玻璃載板上的導電線路電連接，所述第一板面與所述第二板面分別位于所述玻璃載板的相對兩側。

    本申請通過在HDI線路板上設置玻璃載板，并將導電線路設置在玻璃載板上，玻璃載板的表面精度和平整度遠遠大于HDI線路板的表面精度和平整度，有利于芯片的固定安放，能夠應用于Micro LED顯示，解決了相關技術中HDI多層線路板制作的基板在Micro LED顯示方面難以應用的技術問題。