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創(chuàng)新驅(qū)動(dòng) 合作共贏——京東方華燦與晶通半導(dǎo)體共筑GaN功率器件發(fā)展

來(lái)源:投影時(shí)代 更新日期:2025-01-14 作者:pjtime資訊組

    隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲(chǔ)能等新興市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,高性能功率器件的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。在這一背景下,2025年1月8日于珠海金灣工廠京東方華燦與晶通半導(dǎo)體簽署了合作備忘錄,共同致力于寬禁帶半導(dǎo)體之氮化鎵(GaN)功率器件的研發(fā)與量產(chǎn),以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)行業(yè)發(fā)展,滿足市場(chǎng)日益增長(zhǎng)需求。

京東方華燦與晶通半導(dǎo)體合作備忘錄簽署儀式

    作為半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者,京東方華燦與晶通半導(dǎo)體均擁有深厚的行業(yè)積淀和技術(shù)實(shí)力。此次合作,雙方將充分發(fā)揮各自在技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造及市場(chǎng)拓展等方面的優(yōu)勢(shì),共同推動(dòng)GaN功率器件技術(shù)的革新與應(yīng)用。

    京東方華燦專注于氮化物半導(dǎo)體領(lǐng)域,其氮化物專利布局位居全球前列,具備優(yōu)異的運(yùn)營(yíng)管理能力,一直致力于為客戶提供高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品和服務(wù)。晶通半導(dǎo)體在GaN技術(shù)領(lǐng)域深耕多年,擁有GaN HEMT、GaN SBD、Smart-GaN®、Smart-Driver® IC的設(shè)計(jì)能力,以及基于AI機(jī)器學(xué)習(xí)的動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)平臺(tái)。通過(guò)此次合作,雙方將整合各自資源,共同打造高性能、高可靠性的GaN功率器件,以滿足消費(fèi)類、AI數(shù)據(jù)中心、車用、光伏及儲(chǔ)能等新興市場(chǎng)的多元化需求。

 

晶通總裁劉丹、首席科學(xué)家馬俊博士等參觀京東方華燦金灣工廠

    京東方華燦與晶通半導(dǎo)體將攜手推進(jìn)GaN技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新,不斷提升器件性能與可靠性,共同探索新的器件設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)和材料應(yīng)用,以降低成本、提高生產(chǎn)效率;在生產(chǎn)制造方面,晶通半導(dǎo)體將依托京東方華燦先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和工藝,提升產(chǎn)品品質(zhì)和競(jìng)爭(zhēng)力。雙方始終以終端客戶需求為導(dǎo)向,加強(qiáng)在生產(chǎn)管理、質(zhì)量控制等方面的合作,確保GaN功率器件的穩(wěn)定供應(yīng),推動(dòng)GaN功率器件成本持續(xù)降低,加速GaN功率器件大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用。

    展望未來(lái),京東方華燦與晶通半導(dǎo)體將繼續(xù)秉持創(chuàng)新引領(lǐng)、質(zhì)量為本的發(fā)展理念,共同推動(dòng)GaN功率器件技術(shù)革新與進(jìn)步。雙方將深化合作,加強(qiáng)交流,共同打造行業(yè)新生態(tài),為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的GaN功率器件產(chǎn)品和服務(wù)。

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