9 月 12 日，科創(chuàng)板上市公司拓荊科技（證券代碼：688072）發(fā)布 2025 年度向特定對(duì)象發(fā)行 A 股股票募集資金使用可行性分析報(bào)告。公司擬合計(jì)募集不超過(guò) 46 億元資金，其中 15 億元將專項(xiàng)用于 “高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目”，疊加首次公開發(fā)行募集資金已投入的 2.68 億元，該基地總投資將達(dá) 17.68 億元，旨在打造規(guī)�；�、智能化、數(shù)字化的高端半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)基地，緩解產(chǎn)能瓶頸，助力我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。

    項(xiàng)目落地沈陽(yáng)渾南：聚焦薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)能升級(jí)

    據(jù)公告披露，“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目” 選址于遼寧省沈陽(yáng)市渾南區(qū)，將新建生產(chǎn)潔凈間、立體庫(kù)房、測(cè)試實(shí)驗(yàn)室等核心設(shè)施，并引入先進(jìn)生產(chǎn)配套軟硬件。項(xiàng)目核心目標(biāo)是大幅提升拓荊科技在高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)能，重點(diǎn)支撐 PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備）、SACVD（亞常壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備）、HDPCVD（高密度等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備）等薄膜沉積設(shè)備系列產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化能力。

    值得關(guān)注的是，該項(xiàng)目并非全新啟動(dòng) —— 此前拓荊科技已計(jì)劃以 11 億元總投資推進(jìn)該基地建設(shè)，其中 2.68 億元來(lái)自首次公開發(fā)行募集資金�；�于下游市場(chǎng)需求激增及公司業(yè)務(wù)發(fā)展實(shí)際需要，公司決定將項(xiàng)目總投資提升至 17.68 億元，原擬自籌的 8.32 億元（截至公告日尚未投入）調(diào)整為由本次募集資金覆蓋，進(jìn)一步加大對(duì)產(chǎn)能建設(shè)的投入力度。

    截至目前，公司已取得項(xiàng)目用地的不動(dòng)產(chǎn)權(quán)證書（編號(hào)：遼 (2024) 沈陽(yáng)市不動(dòng)產(chǎn)權(quán)第 0293529 號(hào)、遼 (2024) 沈陽(yáng)市不動(dòng)產(chǎn)權(quán)第 0293532 號(hào)），并簽訂總包施工合同，投資項(xiàng)目備案、環(huán)評(píng)等程序正在有序辦理中，為項(xiàng)目順利推進(jìn)奠定合規(guī)基礎(chǔ)。

    三重必要性凸顯：響應(yīng)政策、承接需求、強(qiáng)化優(yōu)勢(shì)

    在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局調(diào)整與國(guó)內(nèi) “自主可控” 戰(zhàn)略推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目的實(shí)施具有明確且迫切的現(xiàn)實(shí)意義，主要體現(xiàn)在三方面：

    1. 響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略，破解產(chǎn)業(yè)鏈安全隱患

    當(dāng)前我國(guó)集成電路領(lǐng)域高端半導(dǎo)體設(shè)備自給率較低，海外龍頭企業(yè)憑借技術(shù)沉淀與布局優(yōu)勢(shì)占據(jù)主導(dǎo)地位，在全球貿(mào)易摩擦背景下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈安全面臨挑戰(zhàn)。國(guó)家近年密集出臺(tái)鼓勵(lì)政策，推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，拓荊科技建設(shè)該基地，將形成行業(yè)正面示范效應(yīng)，助力提升我國(guó)高端半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈韌性。

    2. 承接市場(chǎng)紅利，緩解產(chǎn)能緊張壓力

    受益于人工智能（AI）、高性能計(jì)算等新興領(lǐng)域需求拉動(dòng)，全球晶圓廠持續(xù)加大資本開支、擴(kuò)充產(chǎn)能，直接帶動(dòng)高端半導(dǎo)體設(shè)備需求激增。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2022-2024 年拓荊科技營(yíng)業(yè)收入從 17.06 億元增至 41.03 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 55.08%，業(yè)務(wù)規(guī)�？焖贁U(kuò)張的同時(shí)，產(chǎn)能利用率已處于較高水平。隨著下游訂單持續(xù)增長(zhǎng)與芯片工藝迭代，現(xiàn)有產(chǎn)能已難以滿足未來(lái)需求，基地建成后將有效緩解產(chǎn)能瓶頸，支撐公司可持續(xù)增長(zhǎng)。

    3. 聚焦核心領(lǐng)域，鞏固技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)壁壘

    薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造三大核心設(shè)備之一，也是拓荊科技的核心優(yōu)勢(shì)業(yè)務(wù)。目前公司已完成 PECVD、ALD、SACVD 等多系列薄膜設(shè)備研發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，多個(gè)新產(chǎn)品已進(jìn)入客戶工藝驗(yàn)證階段。本次基地建設(shè)將針對(duì)高端工藝需求擴(kuò)產(chǎn)，并通過(guò)智能化設(shè)施提升生產(chǎn)效率，更好滿足市場(chǎng)對(duì)高性能薄膜沉積設(shè)備的需求，進(jìn)一步鞏固公司在細(xì)分領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

    三大可行性支撐：市場(chǎng)、技術(shù)、客戶全方位保障

    對(duì)于項(xiàng)目落地能力，拓荊科技從市場(chǎng)空間、生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、客戶資源三方面提供了明確保障，確保項(xiàng)目 “能落地、見(jiàn)效益”：

    1. 廣闊市場(chǎng)空間為產(chǎn)能釋放 “托底”

    據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）預(yù)測(cè)，全球 300mm 晶圓廠設(shè)備投資 2025 年將增長(zhǎng) 20% 至 1165 億美元，2026 年再增 12% 至 1305 億美元；中國(guó)大陸市場(chǎng) 2025-2027 年每年設(shè)備投資規(guī)模將保持在 300 億美元以上，持續(xù)引領(lǐng)全球。作為半導(dǎo)體設(shè)備的重要細(xì)分領(lǐng)域，薄膜沉積設(shè)備全球銷售額占比約 22%，疊加芯片工藝迭代帶來(lái)的設(shè)備需求升級(jí)，為基地產(chǎn)能消化提供充足市場(chǎng)空間。

    2. 成熟生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)為項(xiàng)目建設(shè) “護(hù)航”

    作為國(guó)內(nèi)較早布局薄膜沉積設(shè)備的廠商，拓荊科技已積累豐富的規(guī)�；�生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)：在技術(shù)端，公司持續(xù)推進(jìn) PECVD 工藝迭代，拓展 ALD、HDPCVD 等產(chǎn)品矩陣，覆蓋 100 余種高端工藝應(yīng)用；在管理端，建立了生產(chǎn)過(guò)程、質(zhì)量狀態(tài)、資源情況的實(shí)時(shí)監(jiān)控體系，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率與質(zhì)量雙提升。成熟的技術(shù)工藝與管理體系，將確�；�地快速實(shí)現(xiàn)規(guī)�；�、智能化生產(chǎn)。

    3. 優(yōu)質(zhì)客戶資源為產(chǎn)品銷售 “鋪路”

    目前拓荊科技已與國(guó)內(nèi)主流晶圓廠建立穩(wěn)定合作關(guān)系，設(shè)備進(jìn)入超過(guò) 70 條生產(chǎn)線，且在客戶端產(chǎn)線運(yùn)行穩(wěn)定性表現(xiàn)優(yōu)異。針對(duì)客戶定制化需求，公司具備快速響應(yīng)能力，贏得廣泛認(rèn)可。良好的客戶基礎(chǔ)將加速基地新增產(chǎn)能的產(chǎn)品驗(yàn)證與銷售，降低市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。

    5 年建設(shè)期推進(jìn)產(chǎn)能落地 賦能公司長(zhǎng)期發(fā)展

    根據(jù)規(guī)劃，該產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)期為 5 年，自 2024 年起已借助首次公開發(fā)行募集資金啟動(dòng)建設(shè)，后續(xù)將按 “土地購(gòu)置 — 工程建設(shè) — 軟硬件購(gòu)置 — 生產(chǎn)線試運(yùn)行 — 產(chǎn)線投產(chǎn)” 的節(jié)奏逐步推進(jìn)。從投資結(jié)構(gòu)看，項(xiàng)目 17.68 億元總投資中，工程建設(shè)費(fèi)用占比 91.41%（含場(chǎng)地建造、軟硬件購(gòu)置等），基本預(yù)備費(fèi)與鋪底流動(dòng)資金分別占 1.83%、6.76%，資金分配聚焦核心生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)，保障項(xiàng)目投產(chǎn)后快速形成有效產(chǎn)能。

    拓荊科技表示，本次高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)，是公司響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略、承接市場(chǎng)需求的關(guān)鍵布局。項(xiàng)目建成后，將顯著提升公司核心產(chǎn)品產(chǎn)能，強(qiáng)化技術(shù)與市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步鞏固行業(yè)地位；同時(shí)，也將為我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代提供 “產(chǎn)能支撐”，助力產(chǎn)業(yè)鏈自主可控水平提升。公司董事會(huì)強(qiáng)調(diào)，項(xiàng)目符合公司戰(zhàn)略與全體股東利益，具備必要性與可行性，將為公司長(zhǎng)期盈利能力與可持續(xù)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。