硅基OLED微顯示器件以單晶硅芯片為基底，像素尺寸為傳統顯示器件的1/10�；�于其技術優(yōu)勢和廣闊的應用市場，它有望在軍事以及消費類電子領域掀起近眼顯示的新浪潮。

    硅基OLED微顯示器件區(qū)別于常規(guī)利用非晶硅、微晶硅或低溫多晶硅薄膜晶體管為背板的AMOLED器件，它以單晶硅芯片為基底，像素尺寸為傳統顯示器件的1/10，精細度遠遠高于傳統器件。單晶硅芯片采用現有成熟的集成電路CMOS工藝，不但實現了顯示屏像素的有源尋址矩陣，還在硅芯片上實現了如SRAM存儲器、T-CON等多種功能的驅動控制電路，大大減少了器件的外部連線，增加了可靠性，實現了輕量化。

    與傳統的AMOLED顯示技術相比，OLED微顯示技術有以下突出特點：1) 基底芯片采用成熟的集成電路工藝，可通過集成電路代工廠制造，制造良率更是大大高于目前主流的LTPS技術。2) 采用單晶硅，遷移率高、性能穩(wěn)定，壽命高于AMOLED顯示器。3) 200mm×200mm的OLED蒸鍍封裝設備就可滿足制造要求(與8英寸晶圓尺寸兼容)，而不像AMOLED需要追求高世代產線。4) OLED微顯示器體積小，非常便于攜帶，并且其依借小身材提供的近眼顯示效果可以與大尺寸AMOLED顯示器相媲美。

    與其他微顯示技術相比，OLED微顯示技術亦具有不少優(yōu)點：1) 低功耗，比LCD功耗小20%，電池重量可以更輕。2) 工作溫度寬，LCD不能在極端溫度如0℃下工作，必須額外加熱元件，而在高溫下又必須使用冷卻系統，所有這些解決方案都會增加整個顯示器的重量、體積和功耗。而OLED為全固態(tài)器件，不需要加熱和冷卻就可以工作在-46℃~+70℃的溫度范圍內。3) 高對比度，LCD使用內置背光源，其對比度為60:1，而OLED微顯示器的對比度可以達到10,000:1。4) 響應速度快，OLED像素更新所需時間小于1s，而LCD的更新時間通常為10~15ms，相差了1,000到1,500倍，OLED的顯示畫面更流暢從而減小視疲勞。

    下面，我們將重點介紹硅基OLED微顯示技術，從它的應用、國內外生產研發(fā)狀況等出發(fā)對現有OLED微顯示技術做一詳細闡述。