近日，長春理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院新型光電子器件與光源團隊在材料領(lǐng)域頂級期刊《先進材料》上發(fā)表題為“Phosphorescent Dye Sensitized Quantum-Dot Light-Emitting Diodes with 37% External Quantum Efficiency”的研究性文章，影響因子為29.4。

    長春理工大學(xué)為第 一通訊單位，王艷平副教授為第 一作者和第 一通訊作者，吉林大學(xué)張宇教授、云南大學(xué)趙勇彪教授為共同通訊作者。

    王艷平副教授攜手吉林大學(xué)張宇教授、云南大學(xué)趙勇彪教授，針對量子點 （QDs） 的導(dǎo)帶和價帶能級較低，QDs發(fā)光層直接獲取激子會受到較差空穴注入影響，導(dǎo)致電子—空穴注入不平衡和低輻射復(fù)合速率這一難題聯(lián)合開展攻關(guān)研究，提出了以TFB: Ir（MDQ）2（acac）同時作為空穴傳輸層和激子收集器的簡單且有效策略，開展了紅光QLEDs研究。優(yōu)化后的Ir（MDQ）2（acac）摻雜濃度為10 wt%，相應(yīng)紅光器件的最大外量子效率 （EQE）高達37%，這是目前非疊層結(jié)構(gòu)紅光器件EQE的新紀錄。

    為了探究器件的工作機理，研究團隊分別從光物理、載流子轉(zhuǎn)移動力學(xué)、薄膜形貌、能級分布以及單載流子器件的載流子輸運特性等角度詳細分析了器件的工作機理，揭示了Ir（MDQ）2（acac）與QDs之間高效的能量傳遞機制，即Ir（MDQ）2（acac）捕獲來自相鄰QDs發(fā)光層泄漏的電子并與其自身傳輸?shù)目昭ㄐ纬杉ぷ�，收集的激子通過Firster共振能量轉(zhuǎn)移 （FRET） 機制轉(zhuǎn)移給QDs，從而提高了器件性能。

    此次在量子點發(fā)光二極管 （QLEDs） 研究方面取得新突破，為實現(xiàn)高效率和良好穩(wěn)定性的QLEDs提供了一種新的實用方法，得到了吉林省科技廳自然科學(xué)基金面上項目、重慶市科技局自然科學(xué)基金面上項目的支持。