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行業(yè)首發(fā)!HKC惠科微間距LED大屏技術(shù)取得突破

來(lái)源:投影時(shí)代 更新日期:2025-02-17 作者:佚名

    近日,HKC惠科在高端顯示領(lǐng)域取得重大突破,成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 (SiMiP)在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。該技術(shù)基于立琻半導(dǎo)體SiMiP芯片基礎(chǔ)上的共同研發(fā),提升了生產(chǎn)效率與顯示效果,為行業(yè)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案的同時(shí),推動(dòng)我國(guó)在微間距LED大屏直顯技術(shù)進(jìn)入全球前列。

    技術(shù)革新:直顯大屏的破局之道

    基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進(jìn)一步微縮,縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的不二選擇。

    惠科憑借在顯示領(lǐng)域多年的技術(shù)積累和

    產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),與立琻半導(dǎo)體融合雙方在芯片, 顯示方案及產(chǎn)業(yè)鏈資源上的核心優(yōu)勢(shì),成功推動(dòng)SiMiP芯片技術(shù)的應(yīng)用落地。此次研發(fā)的SiMiP技術(shù)通過(guò)單芯集成紅綠藍(lán)三基色像元,簡(jiǎn)化生產(chǎn)與修復(fù)工藝,該技術(shù)可大幅提高微間距LED顯示模組生產(chǎn)的直通良率,顯著降低生產(chǎn)成本,兼具高性能和成本的優(yōu)勢(shì),將進(jìn)一步推動(dòng)微間距LED大屏直顯技術(shù)的革新與普及。

SiMiP核心優(yōu)勢(shì)

    01工藝簡(jiǎn)化,良率提升

    采用單芯片集成方案,無(wú)需復(fù)雜的巨量轉(zhuǎn)移和修復(fù)工藝,直通良率顯著提高。

    02成本優(yōu)化,環(huán)保升級(jí)

    通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)路線(xiàn),減少傳統(tǒng)工藝中的復(fù)雜環(huán)節(jié),同時(shí)避免使用有毒材料,更具環(huán)保優(yōu)勢(shì)。

    03性能卓越,一致性高

    紅綠藍(lán)三基色像元在發(fā)光波長(zhǎng)、工作電壓及出光分布上具有高度一致性,從根本上解決了傳統(tǒng)方案的色偏問(wèn)題。

技術(shù)驅(qū)動(dòng),領(lǐng)跑高端顯示

    作為顯示行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),惠科始終堅(jiān)持以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。近年來(lái),惠科持續(xù)加碼Mini/Micro-LED技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能建設(shè),累計(jì)投資超百億元,構(gòu)建了從技術(shù)研發(fā)到規(guī);a(chǎn)的完整生態(tài)鏈。此次SiMiP芯片技術(shù)的成功應(yīng)用,進(jìn)一步鞏固了惠科在高端顯示領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。未來(lái),惠科將繼續(xù)深化技術(shù)布局,推動(dòng)小間距LED大屏直顯技術(shù)的革新與普及,為全球用戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的顯示解決方案,持續(xù)引領(lǐng)中國(guó)“智”造在全球顯示產(chǎn)業(yè)中的崛起。

 標(biāo)簽:MicroLED 行業(yè)新聞
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