中微半導(dǎo)體設(shè)備 (上海) 股份有限公司（證券代碼：688012，簡(jiǎn)稱 “中微公司”）近日發(fā)布公告，正式推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。此次新品覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延三大半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝領(lǐng)域，不僅展現(xiàn)了公司在核心技術(shù)領(lǐng)域的突破實(shí)力，更為其加速向高端設(shè)備平臺(tái)化公司轉(zhuǎn)型注入新動(dòng)能，同時(shí)也將為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的升級(jí)提供助力。

    新品覆蓋兩大核心領(lǐng)域，技術(shù)優(yōu)勢(shì)凸顯

    中微公司此次發(fā)布的六款新品，聚焦半導(dǎo)體制造中的 “刻蝕” 與 “薄膜沉積” 兩大核心環(huán)節(jié)，每款產(chǎn)品均針對(duì)特定應(yīng)用場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)技術(shù)優(yōu)化，兼顧性能與生產(chǎn)效率。

    刻蝕設(shè)備：攻堅(jiān)極高深寬比與金屬刻蝕痛點(diǎn)

    在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，兩款新品分別瞄準(zhǔn) “極高深寬比刻蝕” 與 “金屬刻蝕” 兩大關(guān)鍵需求，為不同節(jié)點(diǎn)芯片制造提供解決方案：

    Primo UD-RIE® 極高深寬比等離子體刻蝕機(jī)：基于成熟的 Primo HD-RIE® 架構(gòu)升級(jí)而來(lái)，配備六個(gè)單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，通過(guò)更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，可提供更高離子轟擊能量，滿足極高深寬比刻蝕的嚴(yán)苛要求，同時(shí)兼顧精度與效率。該設(shè)備還集成多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù) —— 動(dòng)態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)可優(yōu)化晶圓邊緣深孔刻蝕垂直性，提升邊緣合格率；上電極多區(qū)溫控系統(tǒng)改善高功率下的散熱，增強(qiáng)設(shè)備穩(wěn)定性；全新溫度可切換多區(qū)控溫靜電吸盤與主動(dòng)控溫邊緣組件，則能提升抗電弧放電能力與晶圓邊緣良率，為先進(jìn)存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)提供關(guān)鍵保障。

    Primo Menova™12 寸 ICP 單腔刻蝕設(shè)備：專注金屬刻蝕領(lǐng)域，擅長(zhǎng)金屬 Al 線、Al 塊刻蝕，廣泛適用于功率半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器件及先進(jìn)邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設(shè)備。其優(yōu)勢(shì)在于卓越的刻蝕均一性，可實(shí)現(xiàn)高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷；高效腔體清潔工藝能減少污染、延長(zhǎng)設(shè)備運(yùn)行時(shí)間；集成的高溫水蒸氣除膠腔室還可快速清除金屬刻蝕后的光刻膠及副產(chǎn)物。此外，主刻蝕腔體與除膠腔體可靈活組合，滿足高負(fù)荷生產(chǎn)下的效率與穩(wěn)定性需求。

    薄膜沉積設(shè)備：三款 ALD 產(chǎn)品 + 一款外延設(shè)備，覆蓋多應(yīng)用場(chǎng)景

    薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的四款新品，包括三款原子層沉積（ALD）產(chǎn)品與一款外延設(shè)備，進(jìn)一步完善了中微公司在薄膜工藝環(huán)節(jié)的產(chǎn)品矩陣：

    Preforma Uniflash® 金屬柵系列 ALD 產(chǎn)品：涵蓋 TiN、TiAl、TaN 三大品類，專為先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)器件的金屬柵應(yīng)用設(shè)計(jì)。該系列采用中微獨(dú)創(chuàng)的雙反應(yīng)臺(tái)設(shè)計(jì)，可靈活配置多達(dá)五個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，在滿足高真空工藝集成需求的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率。此外，產(chǎn)品搭載多級(jí)勻氣混氣系統(tǒng)、模型算法加熱系統(tǒng)及高效流導(dǎo)設(shè)計(jì)等核心技術(shù)，在薄膜均一性、污染物控制能力及生產(chǎn)效率上均達(dá)到世界先進(jìn)水平，可充分滿足先進(jìn)邏輯客戶的性能需求。

    PRIMIO Epita® RP 雙腔減壓外延設(shè)備：作為當(dāng)前市場(chǎng)獨(dú)有的雙腔設(shè)計(jì)外延減壓設(shè)備，其反應(yīng)腔體積為全球最小，且可靈活配置多至 6 個(gè)反應(yīng)腔，能顯著降低生產(chǎn)成本與化學(xué)品消耗，同時(shí)保障高生產(chǎn)效率。設(shè)備擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，通過(guò)雙腔設(shè)計(jì)、多層獨(dú)立控制氣體分區(qū)，以及多徑向調(diào)節(jié)能力的溫場(chǎng)溫控設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)秀的流場(chǎng)與溫場(chǎng)均勻性。憑借強(qiáng)工藝適應(yīng)性與兼容性，該設(shè)備可覆蓋從成熟到先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的邏輯、存儲(chǔ)、功率器件等多領(lǐng)域外延工藝需求。

    新品注入轉(zhuǎn)型動(dòng)能，長(zhǎng)期利好市場(chǎng)拓展與業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)迭代，等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等技術(shù)的市場(chǎng)需求持續(xù)攀升。中微公司此次集中推出六款新品，不僅進(jìn)一步豐富了產(chǎn)品布局，更精準(zhǔn)契合了客戶在先進(jìn)工藝環(huán)節(jié)的設(shè)備需求。

    公告顯示，此次新品發(fā)布將為中微公司 “加速向高端設(shè)備平臺(tái)化公司轉(zhuǎn)型” 提供關(guān)鍵支撐 —— 通過(guò)覆蓋半導(dǎo)體制造多關(guān)鍵工藝，公司將從單一設(shè)備供應(yīng)商向綜合解決方案提供商升級(jí)，有助于提升客戶粘性與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。長(zhǎng)期來(lái)看，新品落地將對(duì)公司半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)拓展與業(yè)績(jī)成長(zhǎng)性產(chǎn)生積極影響，同時(shí)也將為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈突破高端設(shè)備 “卡脖子” 環(huán)節(jié)提供助力。

    提示市場(chǎng)導(dǎo)入風(fēng)險(xiǎn)，公司將及時(shí)披露進(jìn)展

    需注意的是，此次推出的新產(chǎn)品目前尚處于市場(chǎng)導(dǎo)入初期，存在市場(chǎng)推廣與客戶開拓不及預(yù)期、客戶驗(yàn)證失敗等風(fēng)險(xiǎn)，可能對(duì)公司未來(lái)收入及盈利帶來(lái)不確定性。中微公司在公告中表示，將根據(jù)新產(chǎn)品后續(xù)推進(jìn)情況及時(shí)履行信息披露義務(wù)，敬請(qǐng)廣大投資者關(guān)注投資風(fēng)險(xiǎn)。

    業(yè)內(nèi)人士指出，此次新品發(fā)布是中微公司技術(shù)研發(fā)實(shí)力的集中體現(xiàn)，其后續(xù)商業(yè)化落地節(jié)奏（如客戶驗(yàn)證進(jìn)度、訂單轉(zhuǎn)化情況）將成為公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的關(guān)鍵變量，同時(shí)也將為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的技術(shù)升級(jí)提供重要參考。